机器学习模拟揭示HfO₂界面控相稳定性

事件综述根据 1 篇报道整理，11月2日更新

中国科学技术大学何力新团队与合肥综合性国家科学中心人工智能研究院朱旭东合作，在 npj Computational Materials 发表研究，用自研第一性原理软件 ABACUS 结合 Deep Potential 机器学习力场，模拟了 45 个各含 10,368 个原子的 HfO₂ 两相界面。 研究显示，界面取向与晶格匹配会影响晶相选择、界面钉扎和相变路径，即多晶型 HfO₂ 的相稳定性受界面控制。该结论来自上述已发表的模拟研究，属于计算模拟结果。

综述由模型根据报道生成，细节以各篇原文为准。